特許
J-GLOBAL ID:200903039934980580

荷電粒子ビーム露光マスク、その製造方法、それを用いた露光装置及び露光方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 外川 英明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-032234
公開番号(公開出願番号):特開2000-232055
出願日: 1999年02月10日
公開日(公表日): 2000年08月22日
要約:
【要約】【課題】 荷電粒子ビーム露光装置に適したマスクの提供により、高精度・高速度なパターン形成を可能とする。【解決手段】 所望のパターン部分が実質的に単結晶により形成されていることを特徴とする反射型荷電粒子ビーム露光マスクを提供する。これにより、高効率の荷電粒子ビーム露光マスクの提供が可能となり、光源の強度を極度に大きくすることなく、十分なスループットの露光を高精度で行うことが可能となる。
請求項(抜粋):
光源から出射した荷電粒子ビームが照射され、この照射により得られる荷電粒子ビームが被露光基板に照射される反射型の荷電粒子ビーム露光マスクであって、所望のパターン部分が実質的に単結晶により構成されていることを特徴とする荷電粒子ビーム露光マスク。
IPC (4件):
H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  G03F 7/20 504 ,  H01J 37/305
FI (4件):
H01L 21/30 541 S ,  G03F 1/16 B ,  G03F 7/20 504 ,  H01J 37/305 B
Fターム (21件):
2H095BA08 ,  2H095BC05 ,  2H095BC08 ,  2H095BC10 ,  2H095BC11 ,  2H095BC14 ,  2H095BC17 ,  2H097AA03 ,  2H097CA16 ,  2H097JA02 ,  2H097LA10 ,  5C034BB05 ,  5C034BB09 ,  5F056AA21 ,  5F056AA22 ,  5F056CB07 ,  5F056CB11 ,  5F056CB25 ,  5F056CB40 ,  5F056EA14 ,  5F056FA05
引用特許:
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (7件)
  • 特開昭53-054974
  • 特開昭62-229836
  • 荷電ビーム転写装置および転写方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-020266   出願人:日本電信電話株式会社
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