特許

J-GLOBAL ID：200903039966110375

炭化珪素基板の製造方法

発明者： 中村 俊一 ,  木本 恒暢
出願人/特許権者： 国立大学法人京都大学
代理人 (2件)： 森脇 正志 ,  森脇 康博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-209411
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032655
出願日： 2004年07月16日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：

【課題】低オフ角の炭化珪素基板上に、表面欠陥密度の小さいホモエピタキシャル成長層を形成する。【解決手段】炭化珪素の{0001}面を、機械加工する機械加工工程と、前記機械加工工程後に、前記炭化珪素の表面を、少なくともハロゲンを含有する物質のプラズマによりエッチングする工程と、前記エッチング工程後に、前記炭化珪素の表面を、ハロゲンを含有せず、なおかつ少なくとも酸素を含有する物質のプラズマに曝露する工程とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

炭化珪素基板の表面を、少なくともハロゲンを含有する物質のプラズマによりエッチングするエッチング工程(SA1)と、前記炭化珪素の表面に付着した異物を除去するクリーニング工程(SA2)と、前記炭化珪素の表面にホモエピタキシャル成長するエピタキシャル成長工程(SA3)とを含むことを特徴とする炭化珪素基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304

FI (3件)：

H01L21/302 102 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304 645C

Fターム (18件)：

5F004AA14 ,  5F004BA04 ,  5F004BA07 ,  5F004BB13 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004FA07 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AD18 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045GH01 ,  5F045HA03