特許
J-GLOBAL ID:200903039966461623
硬質薄膜の製造方法および硬質薄膜
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大川 宏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-183644
公開番号(公開出願番号):特開平10-025565
出願日: 1996年07月12日
公開日(公表日): 1998年01月27日
要約:
【要約】【課題】硬質材料および超硬質材料として利用できる硬度の大きな硬質薄膜を高速度でかつ低コストで製造できる硬質薄膜の製造方法、および硬度の大きな硬質薄膜を提供する。【解決手段】本発明の硬質薄膜の製造方法は、少なくとも炭素を含む炭素源を具備するカソードと、母材と、を用い、アークイオンプレーティング法により硬質薄膜を製造する方法であって、該母材に負のバイアス電圧をかけて該母材を負の電位とし、かつ、該カソードと該母材との間に該炭素源から蒸発する該炭素のうち0.1μm以上の粒径を有する溶融炭素粒子が該母材上に堆積するのを防ぐ防御体を設けたことを特徴とする。この製造方法により硬度の大きい硬質薄膜を製造することができ、この硬質薄膜は硬質材料および超硬質材料として優れる。
請求項(抜粋):
少なくとも炭素を含む炭素源を具備するカソードと、母材と、を用い、アークイオンプレーティング法により硬質薄膜を製造する方法であって、該母材に負のバイアス電圧をかけて該母材を負の電位とし、かつ、該カソードと該母材との間に該炭素源から蒸発する該炭素のうち0.1μm以上の粒径を有する溶融炭素粒子が該母材上に堆積するのを防ぐ防御体を設けたことを特徴とする硬質薄膜の製造方法。
IPC (2件):
C23C 14/32
, C01B 31/02 101
FI (2件):
C23C 14/32 Z
, C01B 31/02 101 Z
引用特許: