特許
J-GLOBAL ID：200903039970369499
光検出方法及びそのためのGaN系半導体受光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-265511
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101129
出願日： 1998年09月18日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】 248nmよりも短い波長の光を、優れた耐性を示しながら検出し得る新たな光検出方法とそのための受光素子を提供することである。【解決手段】 248nmよりも短い波長の光(受光対象光)L1をサファイア結晶1に受光させ、該結晶1から発せられるフォトルミネセンス光(PL光)のうち、450nmよりも短い波長域に強度を有する光を、光検出装置Aで検出することで、受光対象光Lを間接的に検出する。そのためには、本発明の素子が最も好ましい態様である。本発明の素子は、光起電力効果または光導電効果による光検出を可能とするようGaN系結晶層と電極とを有する光検出部aが、サファイア基板1上に形成された構造を有するGaN系半導体受光素子である。
請求項（抜粋）：
248nmよりも短い波長の光を受光対象光とし、この光をサファイア結晶に受光させ、該サファイア結晶から発せられるフォトルミネセンス光のうち、450nmよりも短い波長域に発光強度を有するフォトルミネセンス光を、光検出装置で検出することによって、前記受光対象光の受光を検出することを特徴とする光検出方法。
Fターム (16件)：
5F049AA02
, 5F049AA03
, 5F049AA05
, 5F049AA20
, 5F049AB02
, 5F049AB07
, 5F049AB12
, 5F049BA01
, 5F049BB07
, 5F049CA01
, 5F049CA08
, 5F049CA11
, 5F049DA18
, 5F049FA05
, 5F049GA01
, 5F049LA05
