特許
J-GLOBAL ID：200903039970553010

窒化物半導体装置の製造方法

発明者：
鎌田 厚

鎌田 厚 について


出願人/特許権者：
新日本無線株式会社

新日本無線株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-157062
公開番号（公開出願番号）：特開2007-329154
出願日： 2006年06月06日
公開日（公表日）： 2007年12月20日
要約：
【課題】 窒化物半導体装置の製造工程において、エッチングダメージの無い、加工精度の優れたリセス構造を形成し、高機能窒化物半導体装置が得られる製造方法を提供する。【解決手段】 基板1上にGaNまたはAlzGa1-zN(0<z≦1)からなる窒化物半導体層3、4を成長し、その窒化物半導体層の表面にリセス7aを形成する場合に、窒化物半導体層のリセスを形成する部分のみを酸化させて酸化物層を形成し、その後に酸化物層を還元することにより、酸化物層の部分を除去してリセス7aを形成する。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
基板上にGaNまたはAlzGa1-zN(0<z≦1)からなる窒化物半導体層を成長させ、該窒化物半導体層の表面にリセスを形成する窒化物半導体装置の製造方法であって、該窒化物半導体層の表面に耐酸化機能を有する膜を形成する工程と、 該耐酸化機能を有する膜をパターニングし、前記リセス形成予定領域の前記窒化物半導体層表面を部分的に露出させる工程と、 該露出した窒化物半導体層表面を酸化することにより酸化物層を形成する工程と、 前記酸化物層が形成された窒化物半導体層を、水素を含む雰囲気ガス中で加熱することにより、前記酸化物層を還元して除去し、リセスを形成する工程と、 を有することを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812
FI (2件)：
H01L29/80 B ,  H01L29/80 F
Fターム (21件)：
5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC16 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21
引用特許：
審査官引用 (3件)

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