炭素ナノチューブを用いるメモリ素子及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：磯野道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-030273
公開番号（公開出願番号）：特開2003-264249
出願日： 2003年02月07日
公開日（公表日）： 2003年09月19日
要約：

【要約】【課題】高い伝導度と高い熱放出度を有するCNTと、電荷貯蔵能力に優れたメモリセルとを備え、誤動作のない高速、高集積のメモリ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板と、前記基板上に所定間隔離隔して位置し、電圧が印加されるソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極とドレイン電極とを連結し、電子移動のチャンネルとなるCNTと、前記CNTの上部に位置し、前記CNTから流入する電荷を貯蔵するメモリセルと、前記メモリセルの上部と接触し、前記CNTから前記メモリセルに流入する電荷量を調節するゲート電極と、を備える。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に所定間隔離隔して位置し、電圧が印加されるソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極とドレイン電極とを連結し、電子移動のチャンネルとなる炭素ナノチューブと、前記炭素ナノチューブの上部に位置し、前記炭素ナノチューブから流入する電荷を貯蔵するメモリセルと、前記メモリセルの上部と接触し、前記炭素ナノチューブから前記メモリセルに流入する電荷量を調節するゲート電極と、を備えることを特徴とする炭素ナノチューブメモリ素子。

IPC (7件)：

H01L 21/8247 , B82B 1/00 ZNM , B82B 3/00 , H01L 27/115 , H01L 29/06 601 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5件)：

B82B 1/00 ZNM , B82B 3/00 , H01L 29/06 601 N , H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

Fターム (17件)：

5F083EP17 , 5F083EP42 , 5F083ER11 , 5F083JA02 , 5F083JA04 , 5F083JA19 , 5F083JA32 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083PR21 , 5F083PR34 , 5F101BA45 , 5F101BA47 , 5F101BC02 , 5F101BD13 , 5F101BH02 , 5F101BH16

引用特許：

審査官引用 (2件)

自動整合プログラミングおよび消去領域を備えたNROMセル
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-306999 出願人：サイファン・セミコンダクターズ・リミテッド
電界効果トランジスタ
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-507461 出願人：インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト

引用文献：

審査官引用 (3件)

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