特許
J-GLOBAL ID:200903040017556581
エレクトロルミネッセンス素子
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
岸本 達人
, 山下 昭彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-237064
公開番号(公開出願番号):特開2009-099545
出願日: 2008年09月16日
公開日(公表日): 2009年05月07日
要約:
【課題】発光材料である量子ドットへの励起子の移動性が高く、発光効率に優れたEL素子を提供する。【解決手段】エレクトロルミネッセンス素子であって、前記発光層は、保護材料によりその表面が保護された量子ドットが、有機化合物を含有するマトリックス材料中に分散した構造を有しており、前記保護材料のイオン化ポテンシャルをIp(h)、電子親和力をEa(h)、バンドギャップをEg(h)とし、前記マトリックス材料に含有される有機化合物のイオン化ポテンシャルをIp(m)、電子親和力をEa(m)、バンドギャップをEg(m)とし、前記量子ドットのバンドギャップをEg(q)としたときに、前記保護材料として、以下の条件(A)〜(C);(A)Ip(h)<Ip(m)+0.1eV、(B)Ea(h)>Ea(m)-0.1eV、(C)Eg(q)<Eg(h)<Eg(m)を全て満たす第1の保護材料を含むことを特徴とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
一対の電極と、該電極間に配置され、少なくとも発光層を含むエレクトロルミネッセンス層と、を備えるエレクトロルミネッセンス素子であって、
前記発光層は、少なくとも1種の保護材料によりその表面が保護された量子ドットが、少なくとも1種の有機化合物を含有するマトリックス材料中に分散した構造を有しており、
前記保護材料の少なくとも1種のイオン化ポテンシャルの絶対値をIp(h)、電子親和力の絶対値をEa(h)、バンドギャップをEg(h)とし、前記マトリックス材料に含有される少なくとも1種の有機化合物のイオン化ポテンシャルの絶対値をIp(m)、電子親和力の絶対値をEa(m)、バンドギャップをEg(m)とし、前記量子ドットのバンドギャップをEg(q)としたときに、
前記保護材料として、以下の条件(A)〜(C);
(A)Ip(h)<Ip(m)+0.1eV
(B)Ea(h)>Ea(m)-0.1eV
(C)Eg(q)<Eg(h)<Eg(m)
を全て満たす第1の保護材料を含むことを特徴とする、エレクトロルミネッセンス素子。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (12件):
3K107AA05
, 3K107AA06
, 3K107CC04
, 3K107CC11
, 3K107DD53
, 3K107DD55
, 3K107DD56
, 3K107DD57
, 3K107DD98
, 3K107FF13
, 3K107FF18
, 3K107FF19
引用特許: