特許

J-GLOBAL ID：200903040028801146

温度センサ及びサブマウント並びにサブマウントの製造方法

発明者： 竹盛 英昭 ,  ▲廣▼瀬 一弘 ,  東山 賢史
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-324662
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158734
出願日： 2002年11月08日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：

【課題】本発明の目的は、レーザ素子等の実温と測定される温度との間に生じる誤差を少なくすることができる温度センサ及びサブマウント並びにサブマウントの製造方法を提供することにある。【解決手段】少なくとも一層の薄膜状部材であって、金属,金属酸化物,金属窒化物及び半導体のうち少なくとも一種で形成された測温抵抗体であることを特徴とする温度センサ。サブマウント上に、金属,金属酸化物,金属窒化物及び半導体のうち少なくとも一種で、少なくとも一層の薄膜を形成することを特徴とするサブマウント。【効果】レーザ素子等の実温を簡易な構造で正確に測定できる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

少なくとも一層の薄膜状部材であって、金属,金属酸化物,金属窒化物及び半導体のうち少なくとも一種で形成された測温抵抗体であることを特徴とする温度センサ。

IPC (3件)：

H01C7/02 ,  H01C7/04 ,  H01S5/022

FI (3件)：

H01C7/02 ,  H01C7/04 ,  H01S5/022

Fターム (13件)：

5E034AA09 ,  5E034AB08 ,  5E034AC01 ,  5E034AC12 ,  5E034BA09 ,  5E034BB08 ,  5E034BC01 ,  5E034DB03 ,  5E034DE14 ,  5F073FA13 ,  5F073FA15 ,  5F073FA18 ,  5F073GA23

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭58-130502
  
• 半導体レーザ素子搭載用サブキャリアおよび半導体レーザモジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-156206   出願人：京セラ株式会社
• 白金温度センサ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-261862   出願人：コーア株式会社