Nb3Sn超伝導ワイヤにおける臨界密度の改善

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：大西正悟 , 山口修之 , 保坂丈世
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-554261
公開番号（公開出願番号）：特表2007-524210
出願日： 2005年02月22日
公開日（公表日）： 2007年08月23日
要約：

【課題】以下のパラメータを調整することによって、分配隔壁サブエレメント・デザインにおいて、4.2Kの温度および12Tの磁界で内部スズ・ワイヤに、3000A/mm2までの範囲の臨界電流密度を達成する。【解決手段】ブロンズ内の重量%Sn、原子Nb:Sn、局所面積比、反応可能な隔壁、フィラメント厚に対する隔壁厚、例えばTiまたはTa等のドーパントのNb3Snへの添加、そして、その後の熱反応過程で最大フィラメント径を調整するための再スタッキングおよびワイヤ絞りのデザイン。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

マルチフィラメントNb3Sn超伝導ワイヤを製造するための方法であって、 a)第一のCu含有マトリクス内に複数のCu被覆Nbロッドを詰め込むことによって、前記超伝導ワイヤのためのパック・サブエレメントを形成するステップ、なお、前記第一のCu含有マトリクスは、介在Nb拡散隔壁と、この隔壁の前記ロッドから遠隔に位置する他方側の第二のCu含有マトリクスとによって囲まれている、 b)前記サブエレメント内にSn源を提供するステップ、 c)サブエレメント内の前記金属を組み立てるステップ、なお、Nb、CuおよびSnの相対的なサイズおよび比率は、 (1)前記拡散隔壁を含んで拡散隔壁の内部のサブエレメント断面積のNb部分が、面積で50から65%になり、 (2)前記サブエレメントの前記拡散隔壁を含んで拡散隔壁の内部のSnに対するNbの原子比が、2.7から3.7になり、 (3)前記サブエレメントの前記拡散隔壁内のCuに対するSnの比率が、45%から65%の、Sn重量%/(Sn重量%+Cu重量%)になり、 (4)前記Cu被覆Nbロッドの、Nbに対するCuの局所面積比(LAR)が、0.10から0.30になり、 (5)その後の熱処理によって、前記Nb拡散隔壁が完全に、または部分的にNb3Snへ変換され、 (6)前記Nb拡散隔壁の厚さが、前記Cu被覆NbロッドのNb部分の半径よりも大きくなるように選択する、そして d)前記サブエレメントを、もう一つのCuマトリクス内に組み立て、その組み合わせ材をワイヤの形態へ絞るステップ、なお、このとき (1)前記マルチフィラメントNb3Sn超伝導ワイヤは、各々がNb拡散隔壁を持つ複数の前記サブエレメントからなるので、分配隔壁デザインを持つワイヤが形成され、 (2)最終ワイヤ内の前記銅に包んだNbロッドのNb部分は、反応前で、0.5から7μmの径を持ち、 (3)熱処理によって完全にまたは部分的にNb3Snへ変換させる前記Nb拡散隔壁は、反応前で、0.8から11μmの厚さを持ち、そして e)ステップd)からの最終サイズ・ワイヤを熱処理して、Nb3Sn超伝導相を形成するステップからなる、方法。

IPC (3件)：

H01B 13/00 , H01B 12/10 , C22F 1/00

FI (7件)：

H01B13/00 565A , H01B12/10 , C22F1/00 D , C22F1/00 625 , C22F1/00 661A , C22F1/00 691B , C22F1/00 691C

Fターム (11件)：

5G321AA11 , 5G321BA01 , 5G321CA09 , 5G321CA36 , 5G321CA38 , 5G321CA41 , 5G321DA03 , 5G321DC11 , 5G321DC14 , 5G321DC33 , 5G321DC36

引用特許：

審査官引用 (5件)

Nb-Sn系化合物超電導線の先駆体及びその製造方法並びにNb-Sn系化合物超電導線の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-050278 出願人：三菱電機株式会社
化合物系超電導線およびその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-194781 出願人：三菱電機株式会社
特開平2-234313

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