半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：畑泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-007778
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208756
出願日： 1999年01月14日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】トランジスターの高性能化と高信頼性を損なうことのない高集積化、高微細化された半導体装置及びその製造方法を容易に得る。【解決手段】電界効果型トランジスタに於ける、適宜の基板1上に設けたゲート電極2の下部に形成されるチャネル領域10を挟んで形成されているソース領域Sとドレイン領域Dが、当該ゲート電極2の中心縦線Oに対して互いに非対称に形成されている半導体装置100。

請求項（抜粋）：

電界効果型トランジスタに於けるゲート電極下部に形成されるチャネル領域を挟んで形成されているソース領域とドレイン領域が、当該ゲート電極の中心縦線に対して互いに非対称に形成されている事を特徴とする半導体装置。

Fターム (13件)：

5F040DA05 , 5F040DA10 , 5F040DA17 , 5F040EF01 , 5F040EF02 , 5F040EF11 , 5F040EF18 , 5F040FA03 , 5F040FA05 , 5F040FA10 , 5F040FB02 , 5F040FB04 , 5F040FC00

引用特許：

審査官引用 (13件)

半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-253374 出願人：三洋電機株式会社
特開平3-120836
特開平3-222435

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