特許
J-GLOBAL ID:200903040072661823
半導体装置及びその製造方法
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
佐々木 晴康 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-316198
公開番号(公開出願番号):特開2003-123047
出願日: 2001年10月15日
公開日(公表日): 2003年04月25日
要約:
【要約】【課題】 半導体装置は、年々、多機能化が進んでいるが、逆に薄型化、軽量化が進行しており、それを実現するため限られたスペースへの集積化や素子の薄型化が求められている。例えば、ICカードは年々多機能化が進んでいるが、各機能を実現するための素子を平面的に配置するにはICカードの面積には制限があり、集積化に限界がある。【解決手段】 データを記録する素子と、データの処理を行う演算素子と、デーり取りする通信素子と、エネルギーを貯蔵または発生する素子と、外部の情報を検出し蓄積或いは通信可能なデータに変換する素子と、記録されたデータを表示する素子の全部又は一部を含む構成の半導体装置において、前記各素子の一部又は全部が厚さ方向に積層されて構成されることを特徴とする半導体装置を提供する。
請求項(抜粋):
データを記録する素子と、データの処理を行う演算素子と、データをやり取りする通信素子と、エネルギーを貯蔵または発生する素子と、外部の情報を検出し蓄積或いは通信可能なデータに変換する素子と、記録されたデータを表示する素子の全部又は一部を含む構成の半導体装置において、前記各素子の一部又は全部が厚さ方向に積層されて構成されることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
G06K 19/077
, B42D 15/10 521
, G06K 19/07
, H01L 51/00
FI (5件):
B42D 15/10 521
, G06K 19/00 K
, G06K 19/00 H
, G06K 19/00 J
, H01L 29/28
Fターム (13件):
2C005MA33
, 2C005MA40
, 2C005MB03
, 2C005NA06
, 2C005PA03
, 2C005QC03
, 2C005SA21
, 5B035BA03
, 5B035BB09
, 5B035BB12
, 5B035CA01
, 5B035CA06
, 5B035CA23
引用特許:
前のページに戻る