特許

J-GLOBAL ID：200903040084370972

n型窒化物半導体の成長方法

発明者： 長濱 慎一 ,  岩佐 成人 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-184901
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028473
出願日： 1995年11月24日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】【課題】 窒化物半導体よりなるレーザダイオード(LD)を作製するにあたり、Alを含む窒化物半導体層よりなるn型クラッド層を膜質良く、厚膜で成長できる方法を提供する。【解決手段】 少なくともAlを含むn型窒化物半導体、若しくはn型GaNよりなる第一のn型層の上に、少なくともInを含むn型窒化物半導体よりなる第二のn型層を成長させ、第二のn型層の上に少なくともAlを含むn型窒化物半導体よりなる第三のn型層を成長させることにより、第三のn型層にクラックが入らず厚膜で成長できる。

請求項（抜粋）：

n型AlGaN若しくはn型GaNよりなる第一のn型層の上に、n型InGaNよりなり、膜厚が100オングストローム以上、0.5μm以下の第二のn型層を成長させ、その第二のn型層の上にn型AlGaNよりなる第三のn型層を成長させることを特徴とするn型窒化物半導体の成長方法。

IPC (3件)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• n型窒化物半導体の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-305279   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-038157   出願人：株式会社東芝