特許

J-GLOBAL ID：200903052046691674

n型窒化物半導体の成長方法

発明者： 長濱 慎一 ,  岩佐 成人 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-305279
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148247
出願日： 1995年11月24日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【目的】 窒化物半導体よりなるレーザダイオード(LD)を作製するにあたり、Alを含む窒化物半導体層よりなるn型クラッド層を膜質良く、厚膜で成長できる方法を提供する。【構成】 少なくともAlを含むn型窒化物半導体、若しくはn型GaNよりなる第一のn型層の上に、少なくともInを含むn型窒化物半導体よりなる第二のn型層を成長させ、第二のn型層の上に少なくともAlを含むn型窒化物半導体よりなる第三のn型層を成長させることにより、第三のn型層にクラックが入らず厚膜で成長できる。

請求項（抜粋）：

少なくともAlを含むn型窒化物半導体、若しくはn型GaNよりなる第一のn型層の上に、少なくともInを含むn型窒化物半導体よりなる第二のn型層を成長させ、第二のn型層の上に少なくともAlを含むn型窒化物半導体よりなる第三のn型層を成長させることを特徴とするn型窒化物半導体の成長方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 D ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-038157   出願人：株式会社東芝
• p型窒化ガリウムの成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-042125   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-025068   出願人：株式会社日立製作所