特許

J-GLOBAL ID：200903040107710610

プラズマ処理方法および装置

発明者： 加治 哲徳 ,  小藤 直行 ,  吉岡 健
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-179792
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036086
出願日： 1995年07月17日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【目的】微細パターンの形状制御性の改善や深溝/深穴におけるエッチレート低下の改善等を行うもの。【構成】減圧下でガスをプラズマ化し、該プラズマを用いて処理室5内に配置した試料1を処理するプラズマ処理方法において、試料台2に正方向電位が所定周期毎に急増する部分を有するバイアス電圧を印加し、該電圧が急増した付近で少なくとも5ボルトを越える電位差にしてプラズマ中の電子を加速して試料1に入射させ、試料1の表面電荷の少なくともその一部を中和させる。【効果】加速電子による溝底/穴底での電荷の中和が効率的に行なわれ、微細パターンの形状制御性や深溝/深穴におけるエッチレート低下等が改善される。

請求項（抜粋）：

減圧下でガスをプラズマ化し、該プラズマを用いて処理室内に配置した試料を処理するプラズマ処理方法において、前記試料を載置する載置手段に、正方向電位が所定周期毎に急増する部分を有するバイアス電圧を印加し、該電圧が急増した付近で少なくとも5ボルトを越える電位差にして前記プラズマ中の電子を加速して前記試料に入射させ、前記試料の表面電荷の少なくともその一部を中和させることを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/302 J ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 L ,  H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• プラズマエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-214257   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平2-301141
  
• 特開平4-357829
  
• 特開平1-100923