昇圧回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-282943
公開番号（公開出願番号）：特開平9-131048
出願日： 1995年10月31日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】LSIのチップ内に作り込まれて、電源電圧以上の電圧を得るのに用いられる昇圧回路であって、従来の昇圧回路に比べて回路構成が簡単で構成素子数が少く、チップ上での占有面積の小さい昇圧回路を提供する。【解決手段】昇圧用容量Cを充電するための充電用のMOSトランジスタQP1及び出力用のMOSトランジスタQP2に、pMOSトランジスタを用い、それらトランジスタのゲート電圧を、電源電圧以上に昇圧する必要がないようにする。トランジスタQP2のゲート入力として入力信号φ1 を直接入力するのに替えて、入力信号φ1 ,φ2 のオア信号を入力するようにすると、動作速度を高めることができる。入力信号φ2 を外部から入力するのに替えて、トランジスタQP1のゲート電極に表われる信号の反転信号をトランジスタQP6,QN7,QP2のゲート入力とすると、更に動作速度を高めると共に占有面積をより縮小できる。

請求項（抜粋）：

昇圧用の容量と、その容量に電源端子から電荷を蓄積させるための充電用の絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、前記容量の一方の電極の電圧を切り換える手段と、前記容量の他方の電極と出力端子との間を接・断する出力用の絶縁ゲート型電界効果トランジスタとを含み、外部から入力される第1の二値制御信号に応じて前記容量を充電した後、外部から入力される第2の二値制御信号に応じて充電状態にある前記容量の前記一方の電極の電圧を接地電位からこれより高い他の電圧に切り換えることにより、前記容量の他方の電極の電圧を電源電圧以上に昇圧し、その昇圧した電圧を、前記出力用の絶縁ゲート型トランジスタを介して、前記出力端子に取り出す構成の昇圧回路において、前記充電用の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ及び前記出力用の絶縁ゲート型電界効果トランジスタに、pチャネル型の絶縁ゲート型電界効果トランジスタを用いたことを特徴とする昇圧回路。

引用特許：

審査官引用 (2件)

昇圧方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-287793 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開昭64-050553

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