特許

J-GLOBAL ID：200903040171301170

低誘電率材料、層間絶縁膜及びIC基板

発明者： 松崎 洋市 ,  野上 敦嗣 ,  山田 紀子 ,  片山 真吾
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-092486
公開番号（公開出願番号）：特開平10-287414
出願日： 1997年04月10日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、LSI 用層間絶縁膜、IC基板などに利用される、比誘電率が3.0未満の低誘電率材料を提供するものである。【解決手段】 -M-O- (MはB ,Al,Si,Ti,Ge,Y ,Zr, Nb, Taの中から選ばれた少なくとも1種類以上の元素)をユニットとする主鎖を有する高分子材料において、主鎖の主たる部分の分子構造を、分子構造(1):環状構造、分子構造(2):梯子状構造や多面体構造をはじめとする環状構造単位が面的、立体的に連結した構造、または、分子構造(3):前記構造の少なくとも2個以上と架橋し、未架橋末端を持たない連続した鎖状構造(分岐の有無を問わない)、とすることにより、低誘電率材料が得られる。

請求項（抜粋）：

-M-O- (MはB ,Al,Si,Ti,Ge,Y ,Zr, Nb, Taの中から選ばれた少なくとも1種類以上の元素)をユニットとする主鎖を有し、その主たる部分の分子構造が、分子構造(1):環状構造、分子構造(2):梯子状構造や多面体構造をはじめとする環状構造単位が面的、立体的に連結した構造、または、分子構造(3):前記構造の少なくとも2個以上と架橋し、未架橋末端を持たない連続した鎖状構造、であることを特徴とする低誘電率材料。

IPC (3件)：

C01B 33/113 ,  C01B 35/10 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

C01B 33/113 ,  C01B 35/10 ,  H01L 21/316 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-040829   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-187461   出願人：株式会社東芝