特許

J-GLOBAL ID：200903040196913294

プラズマ処理装置及び方法

発明者： 市丸 朋祥 ,  吉開 元彦 ,  山本 秀之 ,  幾原 祥二 ,  鹿子嶋 昭
出願人/特許権者： 株式会社日立ハイテクノロジーズ
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-035924
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247526
出願日： 2003年02月14日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【課題】処理される試料のプロセスに応じて、試料台の温度制御を行いプラズマ処理することのできるプラズマ処理装置及び方法を提供する。【解決手段】温度制御手段16によって複数の領域がそれぞれ温度制御される試料台10に試料2を配置し、処理レシピに従って前記試料2をプラズマ処理するプラズマ処理装置において、前記処理レシピは前記試料台10に対する複数の温度設定パラメータを含み、複数からなる処理ステップ毎に設定される前記処理レシピに従って前記試料2をプラズマ処理を施す。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

温度制御手段によって複数の領域がそれぞれ温度制御される試料台に試料を配置し、処理レシピに従って前記試料をプラズマ処理するプラズマ処理装置において、 前記処理レシピは前記試料台に対する複数の温度設定パラメータを含み、 複数からなる処理ステップ毎に設定される前記処理レシピに従って前記試料をプラズマ処理することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L21/3065 ,  B01J19/08 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

FI (4件)：

H01L21/302 101G ,  B01J19/08 E ,  H01L21/205 ,  H05H1/46 A

Fターム (27件)：

4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA61 ,  4G075AA63 ,  4G075AA65 ,  4G075BC06 ,  4G075CA03 ,  4G075CA25 ,  4G075DA02 ,  4G075DA04 ,  4G075DA08 ,  4G075DA13 ,  4G075EC21 ,  5F004BA04 ,  5F004BB26 ,  5F004BC08 ,  5F004CA04 ,  5F004CA08 ,  5F004CA09 ,  5F004CB12 ,  5F045AA08 ,  5F045DP04 ,  5F045EK22 ,  5F045EK27 ,  5F045GB05 ,  5F045GB16 ,  5F045GB17

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-166539
  
• 半導体装置の製造方法および装置ならびにワークの処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-210279   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-129573   出願人：株式会社デンソー