特許
J-GLOBAL ID:200903040200543820

太陽電池

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石井 陽一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-058670
公開番号(公開出願番号):特開2001-250963
出願日: 2000年03月03日
公開日(公表日): 2001年09月14日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 有機フレキシブル基板上に、プラズマCVD法によりマスク成膜した光電変換層を有する太陽電池において、効率を向上させると共に、光電変換層形成領域において生じる有機フレキシブル基板の盛り上がりを抑制する。【解決手段】 有機フレキシブル基板2の表面に、下部電極4、光電変換層5および上部電極6をこの順で有し、前記光電変換層がプラズマCVD法により形成された太陽電池であって、前記有機フレキシブル基板と前記下部電極との間に絶縁層3が存在し、前記絶縁層が、金属酸化物を主成分とするマトリックス中に絶縁性粒子が分散した構成であり、前記絶縁層の厚さが0.6〜50μmである太陽電池。
請求項(抜粋):
有機フレキシブル基板の表面に、下部電極、光電変換層および上部電極をこの順で有し、前記光電変換層がプラズマCVD法により形成された太陽電池であって、前記有機フレキシブル基板と前記下部電極との間に絶縁層が存在し、前記絶縁層が、金属酸化物を主成分とするマトリックス中に絶縁性粒子が分散した構成であり、前記絶縁層の厚さが0.6〜50μmである太陽電池。
Fターム (5件):
5F051CA15 ,  5F051DA20 ,  5F051GA05 ,  5F051GA06 ,  5F051GA20

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