特許

J-GLOBAL ID：200903040202890420

半導体パッケージ

発明者： 梶原 良一 ,  小泉 正博 ,  高橋 和弥 ,  守田 俊章 ,  平島 利宣 ,  高橋 靖司
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-160539
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349125
出願日： 1999年06月08日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】Auバンプ接合構造を持つパッケージにおいて、Auバンプ接合部の温度サイクル信頼性を向上する。【解決手段】Au/Al接合部をAlの厚さ方向に渡って全て合金化し、チップの各電極と電極リードを金属接合と樹脂接着で固着する。【効果】温度サイクル寿命が向上する。

請求項（抜粋）：

半導体チップと、チップ電極に接続される金属部材とで構成される半導体パッケージにおいて、チップ電極がAlまたはAl合金膜で構成され、金属部材の接合表面が貴金属めっき膜で構成され、チップ電極と金属部材がAuバンプで金属的に接合されており、Au/Al接合面内の80%以上の面積のAl膜が厚さ方向に全てAuAl合金層となっていることを特徴とする半導体パッケージ。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/28

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/56 E ,  H01L 23/28 Z

Fターム (13件)：

4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA04 ,  4M109EB11 ,  5F044KK00 ,  5F044LL00 ,  5F044QQ03 ,  5F044QQ04 ,  5F044QQ06 ,  5F044RR16 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-109170   出願人：富士電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-221113   出願人：株式会社日立製作所