特許
J-GLOBAL ID:200903040236376734

測定値検定方法および装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 隆久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-302681
公開番号(公開出願番号):特開2000-133568
出願日: 1998年10月23日
公開日(公表日): 2000年05月12日
要約:
【要約】【課題】半導体製品の製造の処理条件決定にフィードバックさせる測定値群から、突発的な異常変動値(ドリフト成分)を有効に排除する。【解決手段】本測定値検定方法では、まず、処理条件を変えて作製した複数のウエハを測定することによって予め得ておいた複数の基準測定値から分散を求め、求めた分散に基づいて測定値がとりうる範囲を予想する(S21)。処理(例えば露光:S24)後に、処理済みのウエハを測定し(S25)、得られた測定値が、その後に行う処理の条件決定に用いてよいものか否かを検定する(S27)。この検定では、実際の測定で得られた測定値が上記S21で求めた予想範囲に入るか否かを基準とする。検定後の処置では、予想範囲内の測定値のみを、その後の処理条件決定に用いる検定済み測定値群に含ませ、予想範囲外の測定値を検定済み測定値群に含ませないようにする(S29)。
請求項(抜粋):
半導体製品の製造において処理済みのウエハを測定し、得られた測定値が、その後に行う処理の条件決定に用いてよいものか否かを検定する測定値検定方法であって、前記ウエハの処理前に、処理条件を変えて作製した複数のウエハを測定することによって予め得ておいた複数の基準測定値から分散を求め、求めた分散にもとづいて測定値がとりうる範囲を予想し、処理後に、処理済みウエハを測定し、当該測定で得られた測定値が上記予想範囲に入るか否かによって前記検定を行う測定値検定方法。
IPC (2件):
H01L 21/027 ,  H01L 21/66
FI (2件):
H01L 21/30 502 V ,  H01L 21/66 Z
Fターム (7件):
4M106AA01 ,  4M106BA20 ,  4M106CA39 ,  4M106CA70 ,  4M106DH01 ,  4M106DJ38 ,  4M106DJ40
引用特許:
審査官引用 (3件)

前のページに戻る