マスクパターン外観検査装置および方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-348112
公開番号（公開出願番号）：特開平11-174657
出願日： 1997年12月17日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】超解像技術適用マスクにおいて、補助パターンの形状の丸みや段差形状などに影響されることなく、ウェハ上での最終形状が設計通りか否かでマスクの欠陥の有無が判別できるマスクパターン外観検査技術を提供する。【解決手段】 0.25μm技術以上の半導体デバイス用マスクに適用されるマスクパターン外観検査装置であって、ウェハ露光条件と同条件でマスクを透過して結像された像を拡大して受光する検査光学システム1、設計データをベースとする手本データを作成する近似変換システム2、受光データと手本データとを比較して欠陥の有無を判別する形状比較欠陥判別回路3などから構成され、一旦、被検査マスク15のパターン形状16が画像スクリーン12上に転写され、この転写像17によるスクリーン転写像のビットマップ形状18と、ウェハ上に転写される最終形状の手本転写データ像のビットマップ形状22が比較判別される。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハ上に所定の回路パターンを形成するためのマスクのマスクパターン外観検査装置であって、前記半導体ウェハ上に所定の回路パターンを形成する際の露光条件に合わせた条件において、前記マスクを検査光が透過して結像される像の転写手段と、この転写手段に結像された像を拡大して受光する受光手段と、この受光手段による受光データと設計データによる手本データとを比較して欠陥の有無を判別する比較判別手段とを有することを特徴とするマスクパターン外観検査装置。

IPC (4件)：

G03F 1/08 , G01N 21/88 , G06T 7/00 , H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 1/08 S , G01N 21/88 E , G06F 15/62 405 A , H01L 21/30 502 V , H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 528

引用特許：

審査官引用 (5件)

領域的イメージを測定する装置及び方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-088338 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
マスク検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-115100 出願人：株式会社東芝
特開平4-100045

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