半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-029666
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240412
出願日： 1994年02月28日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】【目的】膜厚が薄くなってもエレクトロマイグレーションが発生しにくいAl配線層の作製方法を提供する。【構成】配線を形成すべき対象基板を真空容器内の基板保持手段に載置する工程と、最初は、積極的に基板を加熱しないで前記対象基板表面にAl層を堆積し、途中から基板を加熱してAl層を堆積するAl堆積工程とを含む。

請求項（抜粋）：

Alを主成分とする配線層を形成すべき対象基板を真空容器内の基板保持手段に載置する工程と、最初は、積極的に基板を加熱しないで前記対象基板表面にAlを主成分とする配線層を堆積し、途中から基板を加熱してAlを主成分とする配線層を堆積するAl堆積工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/285 301

引用特許：

審査官引用 (11件)

Al系配線の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-201823 出願人：日本電気株式会社
特開平1-160036
特開平4-363024

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