特許
J-GLOBAL ID：200903040308862558
配線パターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-270515
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093907
出願日： 1999年09月24日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：
【要約】【課題】 全面薄膜形成工程(スパッタ)及びエッチング工程を用いずに再配線を形成する配線パターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。【解決手段】 触媒60を配線パターンの形成領域で露出させて設ける第1工程と、前記触媒60の露出領域に導電材料30を析出させる無電解メッキを行い、前記導電材料で前記配線パターンを形成する第2工程と、を含む。
請求項（抜粋）：
触媒を配線パターンの形成領域で露出させて設ける第1工程と、前記触媒の露出領域に導電材料を析出させる無電解メッキを行い、前記導電材料で前記配線パターンを形成する第2工程と、を含む配線パターンの形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/288
H01L 21/288 Z
, H01L 21/88 B
4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104CC01
, 4M104DD07
, 4M104DD32
, 4M104DD47
, 4M104DD53
, 4M104FF13
, 4M104FF22
, 4M104GG13
, 4M104HH20
, 5F033HH07
, 5F033HH08
, 5F033HH13
, 5F033PP26
, 5F033PP28
, 5F033QQ01
, 5F033QQ37
