特許
J-GLOBAL ID：200903018778883858

半導体装置およびその製造方法

発明者：
大角 卓史

大角 卓史 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-128176
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321631
出願日： 1997年05月19日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 電極の接続信頼性を高くするとともに、集積回路表面を保護する。【解決手段】 まず、配線101が形成された半導体集積回路基板100上に、台座部404aおよび404bとなる絶縁層204を形成し、この絶縁層204に配線101を露出させる開口部406を形成する。絶縁層204としては、ポリイミド樹脂を用いる((1))。次に、絶縁層204上に、導体405となる導電膜205を形成し、開口部406の配線101表面から絶縁層204の所定表面領域(台座部404aの形成予定領域)に至る部分を残すように、フォトレジスト207をマスクとして導電膜205をパタ-ニングする((2)、(3))。最後に、台座部404aとなる部分よりも低くなるように、導体405をマスクとして絶縁層204の台座部404bとなる部分の表面を所定の厚さだけ削り、高さの異なる台座404aおよび404bを形成する((4))。
請求項（抜粋）：
半導体集積回路上に形成された絶縁体からなる、高さの異なる複数の台座部と、前記半導体集積回路の任意の配線を露出させるために前記絶縁体に設けた開口部と、前記開口部の配線表面から最も高い前記台座部の頂面に至るように、前記開口部および前記絶縁体上に形成された導体からなる電極を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/321 ,  H01L 21/3205
FI (2件)：
H01L 21/92 602 E ,  H01L 21/88 T
引用特許：
審査官引用 (8件)
  • 特開平4-280458
  • バンプ製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-192107   出願人：田中貴金属工業株式会社
  • 半導体素子用バンプ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-036413   出願人：田中貴金属工業株式会社
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