特許

J-GLOBAL ID：200903040316320950

樹脂封止方法

発明者： 福岡 大 ,  黒 勇旗
出願人/特許権者： 株式会社サイネックス
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-329951
公開番号（公開出願番号）：特開2003-127162
出願日： 2001年10月26日
公開日（公表日）： 2003年05月08日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子と配線板との接合強度の低下および電気的接合部の破壊を生じることなく、キャビティC内に配置された樹脂タブレットを加熱下で押圧することができる樹脂封止方法を提供する。【解決手段】 枠状金型22と、この枠状金型の枠内に可動に嵌合する圧縮金型21と、枠状金型及び圧縮金型に対向して配置された対向金型3とにより周囲を規定されるキャビティC内に、樹脂タブレットを圧縮金型の上面に載置し、キャビティC内で被成形品を樹脂タブレットに向き合うように配置し、圧縮金型の位置検出値と所定の数式とに基づいてこの圧縮金型の昇降速度を算出し、その算出結果に従って押圧手段による圧縮金型の昇降速度を制御する。

請求項（抜粋）：

枠状金型と、この枠状金型の枠内に可動に嵌合する圧縮金型と、前記枠状金型及び圧縮金型に対向して配置された対向金型とにより周囲を規定されるキャビティC内に、樹脂タブレットを前記圧縮金型の上面に載置し、被成形品を前記キャビティC内で前記樹脂タブレットに向き合うように配置し、位置検出手段により検出した前記圧縮金型の位置検出値と所定の数式とに基づいて流動先端速度を算出し、その算出結果に従って押圧手段による前記圧縮金型の昇降速度を制御することを特徴とする樹脂封止方法。

IPC (4件)：

B29C 43/58 ,  B29C 43/36 ,  H01L 21/56 ,  B29L 31:34

FI (4件)：

B29C 43/58 ,  B29C 43/36 ,  H01L 21/56 R ,  B29L 31:34

Fターム (29件)：

4F202AD02 ,  4F202AD18 ,  4F202AD19 ,  4F202AH37 ,  4F202AP06 ,  4F202AR08 ,  4F202CA09 ,  4F202CB01 ,  4F202CB17 ,  4F202CQ05 ,  4F204AA36 ,  4F204AC01 ,  4F204AD03 ,  4F204AH36 ,  4F204AM32 ,  4F204AP06 ,  4F204AR02 ,  4F204AR08 ,  4F204FA01 ,  4F204FB01 ,  4F204FB11 ,  4F204FN11 ,  4F204FN15 ,  4F204FN30 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA22 ,  5F061DB01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法及びこの方法に用いる分割金型
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-368469   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法及びこの方法に用いる分割金型
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-368469   出願人：富士通株式会社