特許
J-GLOBAL ID：200903075487844697

半導体装置の製造方法及びこの方法に用いる分割金型

発明者：
新間 康弘

新間 康弘 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-368469
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185568
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：
【要約】【課題】均一な成型圧を供給しつつ半導体素子を樹脂封止することができる半導体装置製造の方法及びこの方法に用いる金型を提供する。【解決手段】複数の半導体素子が形成された基板を、第1の金型と第2の金型とからなる分割金型を用いて樹脂封止した後、基板を半導体装置単位に分割して半導体装置を製造する方法において、第1の金型に前記基板を配置する基板配置工程と、基板上に封止用の樹脂を供給する樹脂供給工程と、第1の金型の加圧面と前記第2の金型の加圧面とを近づけて前記樹脂に成形圧を加える際に、該樹脂を順次外方へ流動するように加圧して、前記基板を該樹脂により封止する樹脂層形成工程とを含む半導体装置の製造方法である。
請求項（抜粋）：
複数の半導体素子が形成された基板上に封止用の樹脂を載置し、第1の金型と第2の金型とからなる分割金型を用いて圧縮成形法により樹脂封止した後、該基板を半導体装置単位に分割して半導体装置を製造する方法において、前記第1の金型に前記基板を配置する基板配置工程と、前記第1の金型の加圧面と前記第2の金型の加圧面とを近づけて前記樹脂に成形圧を加える際に、該樹脂を順次外方へ流動するように加圧して、前記基板を該樹脂により封止する樹脂層形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/56 ,  B29C 43/18 ,  B29L 31:34
FI (3件)：
H01L 21/56 T ,  B29C 43/18 ,  B29L 31:34
Fターム (13件)：
4F204AD02 ,  4F204AH37 ,  4F204FA01 ,  4F204FB01 ,  4F204FB12 ,  4F204FB17 ,  4F204FQ15 ,  4F204FQ38 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA21 ,  5F061DA01 ,  5F061DA14
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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