半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-215770
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064064
出願日： 1995年08月24日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】開口パターンの底部及び側壁下部の膜厚が減少し、それにより、ゲート抵抗が増加してしまったり、FETの信頼性が低下してしまう等の課題がある。【解決手段】絶縁膜層3上に形成された開口パターン11上に開口パターン11よりも幅の広いレジスト開口パターン12が形成されるように絶縁膜層3上に成膜されたWSi膜5上に逆テーパー形状を有する第2のレジスト膜6を形成する。

請求項（抜粋）：

半絶縁性基板上に開口パターンを形成し、該開口パターン上にゲート電極部を形成する半導体の製造方法において、前記半絶縁性基板上に絶縁膜層を成膜し、前記絶縁膜層上に第1のレジスト膜を形成し、前記第1のレジスト膜上に前記開口パターンを形成し、前記開口パターンにおける前記第1のレジスト膜及び前記絶縁膜層を除去し、前記絶縁膜層上の第1のレジスト膜を除去し、前記絶縁膜層上及び前記開口パターン上に第1の金属膜を成膜し、前記開口パターン上に該開口パターンよりも幅の広いレジスト開口パターンが形成されるように前記第1の金属膜上に逆テーパー形状を有する第2のレジスト膜を形成し、前記レジスト開口パターン及び前記第2のレジスト膜上に第2の金属膜を成膜し、前記第2のレジスト膜上の前記第2の金属膜を除去し、前記第2のレジスト膜を除去し、前記第2のレジスト膜が形成されていた部分における前記第1の金属膜を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/28

FI (2件)：

H01L 29/80 F , H01L 21/28 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-220449
特開昭63-204772
特開昭63-208278

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