偏析抑制効果と酸化層抑制効果に優れた電子部品用低熱膨張合金薄板の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-222023
公開番号（公開出願番号）：特開平11-050145
出願日： 1997年08月05日
公開日（公表日）： 1999年02月23日
要約：

【要約】【課題】偏析を有効に防止して、画像の局部的な鮮明度の低下をもたらすスジむら等のエッチング不良を防止することができ、かつ高精度のエッチングが可能であり、しかも酸化スケールおよびサブスケールを抑制することができる電子部品用低熱膨張合金薄板の製造方法を提供すること。【解決手段】 Ni:30〜50wt%を含有するFe-Ni系合金またはNi:20〜40wt%、Co:7wt%以下を含有し、かつNi+Coが27〜40wt%であるFe-Ni-Co系合金からなり、造塊法で溶製された鋼塊または連続鋳造法により溶製されたスラブに対して1200°C以上の加熱温度でトータル20時間以上の均熱処理を行い、鋼塊またはスラブの最終均熱後に10%以上の圧下率で分塊圧延あるいは鍛造し、その後熱間圧延および冷間圧延する。

請求項（抜粋）：

Ni:30〜50wt%を含有するFe-Ni系合金からなり、造塊法で溶製された鋼塊または連続鋳造法により溶製されたスラブに対して1200°C以上の加熱温度でトータル20時間以上の均熱処理を行い、鋼塊またはスラブの最終均熱後に10%以上の圧下率で分塊圧延あるいは鍛造し、その後熱間圧延および冷間圧延することを特徴とする、偏析抑制効果と酸化層抑制効果に優れた電子部品用低熱膨張合金薄板の製造方法。

IPC (5件)：

C21D 8/02 , C22C 19/03 , C22C 38/00 302 , C22C 38/08 , C22C 38/10

FI (5件)：

C21D 8/02 D , C22C 19/03 M , C22C 38/00 302 R , C22C 38/08 , C22C 38/10

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平4-168248
特開平4-168248
特開平4-074850

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