特許
J-GLOBAL ID：200903093741702332
エッチング性に優れた電子部品用低熱膨張合金薄板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-283350
公開番号（公開出願番号）：特開平9-125207
出願日： 1995年10月31日
公開日（公表日）： 1997年05月13日
要約：
【要約】【課題】スジむら等のエッチング不良が発生せず、かつ高精度のエッチング加工が可能な電子部品用低熱膨張合金薄板を提供すること。【解決手段】Ni:32〜38wt%を含有するFe-Ni系合金、またはNi:23〜38wt%、Co:7wt%以下を含有し、かつNi+Coが30〜38wt%であるFe-Ni-Co系合金からなり、圧延面に対する{100}結晶面の配向度比率(%)と、エッチング加工する面内における圧延方向に直交する方向についてのNiのミクロ偏析率(%)との関係が、これらをそれぞれ横軸および縦軸にとった図2に示す座標において、A(0,3)、B(65,3)、C(100,2)を結ぶ線以下の範囲内である、エッチング加工による孔ピッチが300μm以下の製品の原板として使用されるエッチング性に優れた電子部品用低熱膨張合金薄板。
請求項（抜粋）：
Ni:32〜38wt%を含有するFe-Ni系合金からなり、圧延面に対する{100}結晶面の配向度比率(%)と、エッチング加工する面内における圧延方向に直交する方向についてのNiのミクロ偏析率(%)との関係が、これらをそれぞれ横軸および縦軸にとった図2に示す座標において、A(0,3)、B(65,3)、C(100,2)を結ぶ線以下の範囲内であることを特徴とする、エッチング加工による孔ピッチが300μm以下の製品の原板として使用されるエッチング性に優れた電子部品用低熱膨張合金薄板。ただし、Niのミクロ偏析率(%)=濃度変動幅(wt%)/平均濃度(wt%)×100
IPC (7件)：
C22C 38/00 302
, C21D 8/02
, C22C 38/08
, C22C 38/10
, H01J 1/48
, H01J 1/52
, H01J 29/07
C22C 38/00 302 R
, C21D 8/02 D
, C22C 38/08
, C22C 38/10
, H01J 1/48
, H01J 1/52
, H01J 29/07 Z
