特許
J-GLOBAL ID：200903040395200345
半導体装置用洗浄液及びそれを用いた半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤田 邦彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-342580
公開番号（公開出願番号）：特開平10-172942
出願日： 1996年12月05日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【解決手段】シリコン基板1上に形成したBPSG層2をレジストマスク層3によってドライエッチングで所定パターンに加工してBPSG層2にコンタクトホール2aを形成する。前記ドライエッチング後にレジストマスク層3を除去した状態で前記ドライエッチングによる加工領域を、15〜40重量%のフッ化アンモニウムと0.04〜0.3 重量%のフッ化水素酸を含有するバッファードフッ酸に、200ppm以下の界面活性剤と7重量%以下の過酸化水素水とを加えた洗浄液によって処理する。【効果】上記洗浄液を使用することにより、上記シリコン基板上に形成されたコンタクトホールやバイアホールのようなホールの拡張を防止して、設定通りのサイズに形成しつつ、堆積ポリマーや自然酸化膜及びダメージ層を十二分に除去出来る。コンタクト抵抗の減少、配線間の短絡防止、配線の被着性、設備の汚染防止等を実現する事が出来る。
請求項（抜粋）：
15重量%〜40重量%のフッ化アンモニウムと0.04重量%〜0.3重量%のフッ化水素酸からなるバッファードフッ酸に、200ppm以下の界面活性剤と7重量%以下の過酸化水素水とを含有することを特徴とする半導体装置用洗浄液。
IPC (7件)：
H01L 21/304 341
, C11D 3/04
, C11D 3/39
, C11D 7/08
, C11D 7/10
, C11D 7/18
, H01L 21/308
H01L 21/304 341 L
, C11D 3/04
, C11D 3/39
, C11D 7/08
, C11D 7/10
, C11D 7/18
, H01L 21/308 G
