特許
J-GLOBAL ID：200903040403618290
ヘテロバイポーラトランジスタ用エピタキシャルウエハ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-218097
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044213
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 サブコレクタ層のキヤリア濃度の高濃度化とサブコレクタ層の厚肉化に依存することなく、電流利得率を向上させることのできるヘテロバイポーラトランジスタ用エピタキシャルウエハを提供する。【解決手段】 サブコレクタ層を所定の不純物濃度のドープ層と高純度のアンドープ層によって構成するもので、たとえば、n+ -GaAsのドープ層2aとInGaAsのアンドープ層2bを交互に積層することによってサブコレクタ層2を構成する。
請求項（抜粋）：
基板の上にサブコレクタ層、コレクタ層、ベース層およびエミッタ層を形成したヘテロバイポーラトランジスタ用エピタキシャルウエハにおいて、前記サブコレクタ層は、所定の不純物濃度を有した1導電型のドープ層と、電気親和力の大きな高純度の化合物半導体のアンドープ層を有することを特徴とするヘテロバイポーラトランジスタ用エピタキシャルウエハ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
5F003AP00
, 5F003BB04
, 5F003BC00
, 5F003BC01
, 5F003BC02
, 5F003BC04
, 5F003BC05
, 5F003BE04
, 5F003BF06
, 5F003BM02
, 5F003BM03
, 5F003BP32
