特許
J-GLOBAL ID:200903040411145376

化学的気相堆積チャンバ内のガス流路におけるペデスタル周辺の構成要素

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-188357
公開番号(公開出願番号):特開平10-070088
出願日: 1997年07月14日
公開日(公表日): 1998年03月10日
要約:
【要約】【課題】、例えば窒化チタンを堆積するチャンバの性能を改善することによって、チャンバクリーニングから次のクリーニングまでの間のウェーハの平均処理枚数を増加すること。【解決手段】 上記課題は、処理される基板142の縁部を越えて延びるペデスタル140の部分に、堆積用のガスが過剰な生成物を形成する傾向を削減することによって、達成される。本発明は、ペデスタル140と処理される基板142とから熱的に絶縁された周辺リング146を含む。この熱絶縁の結果としての周辺リングの温度低下が、その表面の薄膜堆積の速度の減少をもたらし、処理チャンバのクリーニングサイクル間のウェーハの平均数量を増加させる。その周辺リング146は、基板をペデスタルの表面まで下げたときにそのセンタリングを援助するための200を含む。
請求項(抜粋):
基板を支持するペデスタルを含む主処理チャンバと、前記ペデスタルの上方に配置された処理ガス源と、前記主処理チャンバの外周を取り囲むと共に、通路によって接続され、かつ真空ポンプ装置に接続可能なポンピング流路と、前記ポンピング流路の壁に設けられた少なくとも一つの取外し可能なライナと、を備えるプラズマリアクタ。
IPC (3件):
H01L 21/285 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205
FI (3件):
H01L 21/285 C ,  C23C 16/44 C ,  H01L 21/205
引用特許:
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る