半導体発光素子の製法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河村洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-108171
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299494
出願日： 1999年04月15日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】【課題】発光素子チップの周囲に凸凹を形成する粗面処理をしながら、良好なオーミックコンタクトで、かつ、電極表面へのGaなどの拡散を防止してワイヤボンディング性を向上させ得る電極を有する半導体発光素子の製法を提供する。【解決手段】 GaP基板1に、GaPからなるn形層2およびp形層3の発光層を形成する半導体積層部4を順次エピタキシャル成長する。そして、その半導体積層部4の表面にp側電極6を各チップの表面積の一部に設けられるように部分的に形成し、半導体基板1の裏面にn側電極7を形成する。さらに、ウェハをダイシングしてチップ化し、各チップの半導体積層部4の露出面を塩酸により粗面処理する。そして、このp側電極6をGaP層3とオーミックコンタクトするコンタクトメタル層6aとMo層6bとAu層6cとの3層構造により形成し、前記粗面処理を塩酸により行うことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

GaP基板からなるウェハの表面に、GaPからなるn形層およびp形層を含み発光層を形成する半導体積層部をエピタキシャル成長し、前記半導体積層部の表面に一方の電極を各チップの表面積の一部に設けられるように部分的に形成し、前記半導体基板の裏面に他方の電極を形成し、前記ウェハをダイシングしてチップ化し、各チップの半導体の露出面を粗面処理する半導体発光素子の製法であって、前記一方の電極をGaP層とオーミックコンタクトするコンタクトメタル層とMo層とAu層との3層構造により形成し、前記粗面処理を塩酸により行うことを特徴とする半導体発光素子の製法。

FI (2件)：

H01L 33/00 B , H01L 33/00 N

Fターム (13件)：

5F041AA43 , 5F041CA02 , 5F041CA37 , 5F041CA49 , 5F041CA53 , 5F041CA63 , 5F041CA74 , 5F041CA76 , 5F041CA82 , 5F041CA85 , 5F041CA92 , 5F041CB36 , 5F041DA07

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭62-035586
化合物半導体素子の電極形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-168917 出願人：シャープ株式会社
特開平4-354382

前のページに戻る