特許

J-GLOBAL ID：200903040455245831

半導体多波長撮像素子とその製造方法

発明者： 重中 圭太郎 ,  中田 文夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-246174
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150851
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】本発明は、高密度集積化を可能とし、かつ製造方法を簡素化することのできる半導体多波長撮像素子とその製造方法を提供することにある。【解決手段】単結晶CdZnTe基板11上に形成されたp型Hg0.7 Cd0.3Te受光層12と、この受光層12上に成長されたCdTe分離層13と、このCdTe分離層13上に成長されたp型Hg0.77Cd0.23Te受光層15と、受光層12、15中に形成されて、この受光層12、15との間にpn接合を形成しているn+ 領域14、17と、このn+ 領域14、17の各領域にそれぞれ接続されたインジウム電極19と、受光層12、15に接続されている接地電極21、23とを有し、前記半導体分離層13は、前記受光層12、15を電気的に分離している。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された禁制帯幅の異なる複数の第1導電型の半導体受光層と前記第1導電型の半導体受光層の間に介在させた半導体分離層とを有する積層構造と、前記積層構造の各第1導電型の半導体受光層中に連続して形成され、前記第1導電型の各半導体受光層との間にpn接合を形成する第2導電型の領域と、前記第2導電型の各領域に接続された出力用電極と、前記複数の第1導電型の各半導体受光層にそれぞれ接続された複数の接地電極とを具備することを特徴とする半導体多波長撮像素子。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/33

FI (3件)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/33 ,  H01L 31/10 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-038258
  
• 赤外線受光装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-233855   出願人：日本電信電話株式会社