特許
J-GLOBAL ID：200903040468602625
カラ-イメ-ジセンサ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三枝 英二 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-374146
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228513
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：
【要約】【課題】 光の多様なカラー成分に対する光感度が改善されたカラーイメージセンサを提供する。【解決手段】 カラーイメージセンサは、P型半導体層及びP型半導体層表面下部に位置する第1N型拡散領域を含みP型半導体層表面下部に第1空乏領域を形成するレッドフォトダイオードと、P型半導体層及びP型半導体層表面下部に位置する第2N型拡散領域を含みP型半導体層表面下部に第2空乏領域を形成するグリーンフォトダイオードと、P型半導体層及びP型半導体層表面下部に位置する第3N型拡散領域を含みP型半導体層表面下部に第3空乏領域を形成するブルーフォトダイオードとを備える。第2空乏領域は第1空乏領域に比べP型半導体層表面により近接した状態で設けられ、第3空乏領域は第2空乏領域に比べP型半導体層表面にさらに近接した状態で設けられる。
請求項（抜粋）：
光学的イメージを電気的信号に変換するためのカラーイメージセンサにおいて、P型半導体層及び上記P型半導体層の表面下部に位置された第1N型拡散領域を含んで上記P型半導体層の表面下部に第1空乏領域を形成するレッドフォトダイオードと、上記P型半導体層及び上記P型半導体層の表面下部に位置された第2N型拡散領域を含んで上記P型半導体層の表面下部に第2空乏領域を形成するグリーンフォトダイオードと、上記P型半導体層及び上記P型半導体層の表面下部に位置された第3N型拡散領域を含んで上記P型半導体層の表面下部に第3空乏領域を形成するブルーフォトダイオードとを備え、前記第2空乏領域は、前記第1空乏領域に比べ上記P型半導体層の表面により近接した状態で設けられており、前記第3空乏領域は、前記第2空乏領域に比べ上記P型半導体層の表面にさらに近接した状態で設けられていることを特徴とするカラーイメージセンサ。
IPC (3件)：
H01L 27/146
, H04N 5/335
, H04N 9/07
H01L 27/14 A
, H04N 5/335 U
, H04N 9/07 A
