特許

J-GLOBAL ID：200903040469992532

半導体装置及び半導体装置の作製方法

発明者： 浅見 良信
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-042587
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244460
出願日： 2008年02月25日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：

【課題】作製工程が簡略化され、容量素子の面積が縮小化されたメモリ素子を有する半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】基板上に第1の半導体膜と、第2の半導体膜を形成し、第1の半導体膜及び第2の半導体膜を覆って第1の絶縁膜を形成し、第1の半導体膜及び第2の半導体膜上に、第1の絶縁膜を介してそれぞれ第1の導電膜及び第2の導電膜を形成し、第1の導電膜を覆って第2の絶縁膜を形成し、第1の半導体膜上に設けられた第1の導電膜上に第2の絶縁膜を介して第3の導電膜を選択的に形成し、第1の半導体膜に第3の導電膜をマスクとして不純物元素を導入し、第2の半導体膜に第2の導電膜を通して不純物元素を導入する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に第1の半導体膜と、第2の半導体膜を形成し、 前記第1の半導体膜及び前記第2の半導体膜を覆って第1の絶縁膜を形成し、 前記第1の半導体膜及び前記第2の半導体膜上に、前記第1の絶縁膜を介してそれぞれ第1の導電膜及び第2の導電膜を形成し、 前記第1の導電膜を覆って第2の絶縁膜を形成し、 前記第1の半導体膜上に設けられた前記第1の導電膜上に前記第2の絶縁膜を介して第3の導電膜を選択的に形成し、 前記第1の半導体膜に前記第3の導電膜をマスクとして不純物元素を導入し、前記第2の半導体膜に前記第2の導電膜を通して前記不純物元素を導入することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (10件)：

H01L 21/824 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06

FI (6件)：

H01L29/78 371 ,  H01L29/78 613B ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 481 ,  H01L27/04 C ,  H01L27/06 102A

Fターム (141件)：

5B035BA05 ,  5B035BB09 ,  5B035CA23 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ20 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC04 ,  5F048AC10 ,  5F048BA16 ,  5F048BB03 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BD10 ,  5F048BF07 ,  5F048BF17 ,  5F048BG07 ,  5F083EP02 ,  5F083EP04 ,  5F083EP23 ,  5F083EP27 ,  5F083EP43 ,  5F083EP44 ,  5F083EP54 ,  5F083EP56 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083GA09 ,  5F083GA25 ,  5F083GA28 ,  5F083HA02 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR42 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR45 ,  5F083PR52 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR55 ,  5F083ZA05 ,  5F083ZA06 ,  5F083ZA07 ,  5F083ZA09 ,  5F101BA19 ,  5F101BA29 ,  5F101BA35 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BB08 ,  5F101BD07 ,  5F101BD30 ,  5F101BH08 ,  5F101BH21 ,  5F110AA16 ,  5F110BB04 ,  5F110BB08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE27 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF26 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ22

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-002622   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所