特許

J-GLOBAL ID：200903014742616939

半導体装置およびその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  小山 潤 ,  柴田 寛 ,  福永 健司
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-002622
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269512
出願日： 2000年01月11日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】 TFT特性の高い半導体装置を実現する。【解決手段】 AM-LCDの画素マトリクス回路において、保持容量の下部電極114に15族に属する元素と結晶化に用いた触媒元素とを含有させて低抵抗化を図り、さらに保持容量の誘電体を薄くすることで、容量を形成する面積を大きくすることなくキャパシティを稼ぐことができる。そのため、対角1インチ以下のAM-LCDにおいても開口率を低下させることなく、十分な保持容量を確保することが可能となる。

請求項（抜粋）：

絶縁表面上にソース領域と、ドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に形成されているチャネル形成領域と、少なくとも前記チャネル形成領域上に接して形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接して形成された配線とを有し、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の一部には、珪素の結晶化を助長する元素が含まれていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1365 ,  H01L 21/20

FI (7件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 617 S

Fターム (113件)：

2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JA29 ,  2H092JA33 ,  2H092JA35 ,  2H092JA38 ,  2H092JA39 ,  2H092JA40 ,  2H092JA42 ,  2H092JA43 ,  2H092JA44 ,  2H092JA46 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB24 ,  2H092JB27 ,  2H092JB32 ,  2H092JB33 ,  2H092JB36 ,  2H092JB38 ,  2H092JB43 ,  2H092JB51 ,  2H092JB57 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092KA16 ,  2H092KA18 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA20 ,  2H092MA24 ,  2H092MA29 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092MA41 ,  2H092NA07 ,  2H092NA22 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092NA28 ,  2H092PA06 ,  2H092PA07 ,  2H092PA08 ,  2H092PA10 ,  2H092PA13 ,  2H092RA05 ,  5F052AA17 ,  5F052CA07 ,  5F052DA01 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052FA24 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE15 ,  5F110EE28 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ18 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN45 ,  5F110NN73 ,  5F110PP10 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-123283   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 液晶表示装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-276102   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-215257   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体薄膜およびその作製方法ならびに半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-336338   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 液晶表示装置の製造方法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-139458   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所