特許

J-GLOBAL ID：200903040476795700

絶縁膜の形成方法

発明者： 菅原 卓也 ,  多田 吉秀 ,  中村 源志 ,  尾▲崎▼ 成則 ,  中西 敏雄 ,  佐々木 勝 ,  松山 征嗣
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (5件)： 石田 敬 ,  鶴田 準一 ,  吉井 一男 ,  西山 雅也 ,  樋口 外治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-360807
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193409
出願日： 2002年12月12日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：

【課題】高性能化および/又は低消費電力化等の優れた特性を有する電子デバイスのための優れた膜質の絶縁膜を与えることが可能な絶縁膜の改質方法を提供する。【解決手段】電子デバイス用基材上に配置された気相堆積に基づく絶縁膜に対して、希ガスを少なくとも含む処理ガスに基づくプラズマPを照射して、該絶縁膜を改質する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

少なくとも2つの層を含む絶縁膜を電子デバイス用基材表面に形成するに際して、これらの絶縁膜層のうち1以上の層を、少なくとも希ガスを含む処理ガスに基づくプラズマ照射により改質することを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L21/314 ,  C23C14/58 ,  C23C16/56

FI (3件)：

H01L21/314 Z ,  C23C14/58 C ,  C23C16/56

Fターム (32件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BD01 ,  4K029DC28 ,  4K029GA02 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA10 ,  4K030BA29 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BC20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD02 ,  5F058BF02 ,  5F058BF11 ,  5F058BF62 ,  5F058BF63 ,  5F058BF64 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-319251   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法、絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-199737   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 特開平4-014224