特許
J-GLOBAL ID：200903057771699089

半導体装置およびその製造方法

発明者：
松浦 正純

松浦 正純 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-319251
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134494
出願日： 2000年10月19日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：
【要約】【課題】 シリコン炭化膜を適用した埋め込み銅配線構造を有する半導体装置において、シリコン炭化膜の膜質を改善してリーク電流を低減することができ、デバイスの誤動作を引き起こすクロストークの問題を防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 この半導体装置は、埋め込み配線構造を有しており、埋め込まれる第一の金属配線15の周囲に設けられる第三の層間絶縁膜6bが、窒素イオンおよびアンモニアイオンを含むガスプラズマが照射されて膜質改善されたシリコン炭化膜によって形成されている。
請求項（抜粋）：
埋め込み配線構造を有する半導体装置において、配線と、前記配線を埋め込んで絶縁する層間絶縁膜と、を備え、前記層間絶縁膜は、シリコン炭化膜を含む複数の膜で形成され、前記シリコン炭化膜は、窒素イオンまたは窒素化合物イオンを少なくとも含むガスプラズマを照射されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/314 ,  H01L 21/768
FI (4件)：
H01L 21/314 A ,  H01L 21/90 K ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 J
Fターム (27件)：
5F033HH11 ,  5F033MM01 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033TT04 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX24 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF26 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (3件)

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