不溶解性アノードを用いてのシリコンウエファーの銅金属被膜化

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋元輝雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-516089
公開番号（公開出願番号）：特表2001-520315
出願日： 1998年09月22日
公開日（公表日）： 2001年10月30日
要約：

【要約】溶解しないアノードを用いて、シリコンウエファーに銅を電気めっきするめっきシシウテムと方法とが提供されるもので、そこにおいては、電解質が撹拌されるか又は好ましくは前記システムの電気めっきタンク(11)内に循環され、所定の操作パラメータが合った時、前記電解質の一部が前記システムから排出される。排出された部分の銅の濃度よりも濃いい銅濃度の銅含有溶液が前記システムから排出された電解質と実質的に等しい量で、電解質排出と同時又は排出後に銅めっきシステムへ補給され、めっきされる銅と排出流れで排出の銅の量的バランスを保つ。好ましい方法とシステムにおいては、電解質保持タンク(19)が設けられ、電解質循環の貯留器となる。銅含有溶液の補給とワーキング電解質の排出は、保持タンク(19)からなされることが好ましい。好ましい装置は、シリンドリカルなものが好ましく、再循環する電解質がアノード(13)近くで流入し、電気めっきタンク(11)の周辺にそってぐるり巡らされている開口をもつ前記装置の出口からカソード(12)の近くで排出されるように構成され、前記タンクから排出される電解質が実質的に均一な流れでカソード(12)の面を通過するようになっている。アノード(13)は、好ましくは、円形で、流入する電解質が通過する中央貫通開口(13a)を有している。

請求項（抜粋）：

以下からなるシリコンウエファー半導体基板を銅めっきする電解方法: タンクを備え、銅電解質とカソードとしてめっきされるべき基板と間隔をおいて離れている不溶解性アノードとを含む銅めっき装置を備えるめっきシステムを準備し; 前記タンク内の銅電解質を撹拌しながら、電流を流し、前記カソードを電気めっきし; 前記めっきシステムの操作パラメータの少なくとも一つを測定し; 所定の操作パラメータに合致したとき前記電解質の一部を前記システムから排出し; 前記電解質の排出と同時に又はその後のいずれかに前記システムへ銅含有溶液を加えるものであり、この銅含有溶液は、濃度が排出された電解質における銅の濃度よりも高く、量が前記システムにおける電解質の銅の濃度を所定の値まで上げるのに十分で、かつ、前記システムにおける電解質のヴォリュウムを実質的にコンスタントなヴォリュウムに保つに十分なものであること。

IPC (3件)：

C25D 21/14 , C25D 21/20 , H01L 21/288

FI (3件)：

C25D 21/14 D , C25D 21/20 , H01L 21/288 E

Fターム (4件)：

4M104AA01 , 4M104BB04 , 4M104DD52 , 4M104HH16

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-052296
特開平4-074898
金属メッキ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-001995 出願人：日本電気株式会社

前のページに戻る