特許

J-GLOBAL ID：200903040518209199

半導体装置及びその製造方法

発明者： 前田 哲也
出願人/特許権者： セイコーインスツル株式会社
代理人 (1件)： 松下 義治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-434381
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191484
出願日： 2003年12月26日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：

【課題】 トランジスタの幅が表面積に多く依存していた。また、半導体シリコン部分を流れる経路が、抵抗として作用していた。【解決手段】 トランジスタのソース部106、ゲート部103、ドレイン部107をそれぞれトレンチで形成し、ウエハ方向に対し横に並べ、トランジスタの実効幅が、ウエハ表面に対し垂直方向に依存した構造とした。その結果、微小な面積で大電流を流せるようになった。さらに、トランジスタのチャネル部端から配線金属までの距離を短くすることが可能となり、抵抗値が減った。また、CMOSの形成や、様々な半導体素子などとの混載も形成しやすくなった。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

ゲート電極用トレンチ内の表面に絶縁膜が存在し、その絶縁膜の内側がゲート部用金属でうめられ、上記トレンチのウエハ表面に平行な方向の両端のシリコン部分に、それぞれソース用及びドレイン用の不純物が拡散され、ソース用及びドレイン用不純物が拡散されたシリコン内にそれぞれトレンチが存在し、電極用金属で被覆され、ソース及びドレイン部と電極をとることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

FI (5件)：

H01L29/78 301V ,  H01L29/44 L ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  H01L27/08 102A

Fターム (64件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD06 ,  4M104DD16 ,  4M104FF01 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104FF27 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AA01 ,  5F048AA07 ,  5F048AA09 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA19 ,  5F048BB01 ,  5F048BB02 ,  5F048BB05 ,  5F048BB19 ,  5F048BC01 ,  5F048BC02 ,  5F048BD01 ,  5F048BD04 ,  5F048BD05 ,  5F048BF16 ,  5F140AA01 ,  5F140AA24 ,  5F140AA29 ,  5F140AB03 ,  5F140AB04 ,  5F140BA01 ,  5F140BB05 ,  5F140BB13 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF43 ,  5F140BF47 ,  5F140BF53 ,  5F140BG28 ,  5F140BG37 ,  5F140BH05 ,  5F140BH25 ,  5F140BH26 ,  5F140BH30 ,  5F140BJ06 ,  5F140BJ10 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ16 ,  5F140BJ23 ,  5F140BK12 ,  5F140CB01 ,  5F140CB08 ,  5F140CF01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-232425   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ