特許
J-GLOBAL ID：200903040526638180

発光装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-185758
公開番号（公開出願番号）：特開2005-051211
出願日： 2004年06月24日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：
【課題】 TFTの工程を複雑化させることなくシステムオンパネル化を実現し、なおかつコストを抑えることができる発光装置の提案を課題とする。【解決手段】 画素部に発光素子と、発光素子への電流の供給を制御するTFTとを有する画素が設けられており、駆動回路が有するTFTと、発光素子への電流の供給を制御するTFTとは、ゲート電極とゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なっている第1の半導体膜と、第1の半導体膜上に形成された一対の第2の半導体膜とを有し、一対の第2の半導体膜には一導電型を付与する不純物が添加されており、第1の半導体膜はセミアモルファス半導体で形成されていることを特徴とする発光装置。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
画素部と、前記画素部の動作を制御するための駆動回路とを有し、 前記画素部には、発光素子と、前記発光素子への電流の供給を制御するTFTとを有する画素が設けられており、 前記駆動回路が有するTFTと、前記発光素子への電流の供給を制御するTFTには、チャネル形成領域にセミアモルファス半導体が用いられていることを特徴とする発光装置。
IPC (2件)：
H01L29/786 ,  H05B33/14
FI (3件)：
H01L29/78 618B ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 612B
Fターム (59件)：
3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007BB07 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF24 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG31 ,  5F110GG34 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ09
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
  • 半導体集積回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-276574   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 特開平4-177736
  • 特開平3-233431
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