特許

J-GLOBAL ID：200903040599363766

マイクロ波プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子部品

発明者： 鈴木 伸昌
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-129079
公開番号（公開出願番号）：特開2003-324094
出願日： 2002年04月30日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：

【要約】【課題】 環状導波管の周方向に発生する表面波干渉プラズマ(SIP)の均一化を図り、高品質なマイクロ波プラズマ処理装置を提供することができるようにする。【解決手段】 H面に所定の間隔で穿孔されて設けられた放射状もしくは円弧状のスロットを有する無終端環状導波路を2層に積層した構造の無終端導波管110にマイクロ波を導入することにより、1層構造の無終端環状導波路の場合に比して、無終端環状導波路の周方向に発生する定在波をより均一にできるようにする。これにより、プラズマ処理室に均一なマイクロ波を供給することができるようになり、高品質なマイクロ波プラズマ処理装置とすることができる。

請求項（抜粋）：

プラズマ処理室と、前記プラズマ処理室内に設置される被処理基体を支持する基体支持手段と、前記プラズマ処理室内にガスを導入するガス導入手段と、前記プラズマ処理室内を排気する排気手段と、前記プラズマ処理室にマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段とを含み、前記マイクロ波導入手段は、H面に所定の間隔で穿孔されて設けられたスロットを有する無終端環状導波路を2層に積層した構造を備えていることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

C23C 16/511 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 101 D

Fターム (43件)：

4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA29 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030CA17 ,  4K030FA02 ,  4K030JA19 ,  5F004BB11 ,  5F004BB32 ,  5F004BD01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA04 ,  5F004DA05 ,  5F004DA06 ,  5F004DA15 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DA27 ,  5F004DA28 ,  5F004DB03 ,  5F004DB23 ,  5F004DB26 ,  5F004EB03 ,  5F045AA09 ,  5F045AA20 ,  5F045AB09 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC03 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03

引用特許：

審査官引用 (1件)

• プラズマ処理装置及び処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-312903   出願人：キヤノン株式会社