特許

J-GLOBAL ID：200903062419243621

プラズマ処理装置及び処理方法

発明者： 鈴木 伸昌 ,  横島 重信
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-312903
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135615
出願日： 1999年11月02日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：

【要約】【課題】 高品質な処理をより高速且つ均一に行うことが可能となるように、特に導入部と対向部とのプラズマ密度バランスが崩れない高密度低電位プラズマを発生させる。【解決手段】 管内波長の1/2もしくは1/4の間隔で複数のスロット106が放射状に形成されてなる無終端の環状導波管103の複数の導入口にマイクロ波を導入するH分岐104を設ける。E分岐されたマイクロ波は導入部104の対向部で干渉し、管内波長の1/2毎にスロット106を横切る電界を強め、スロット106を介し誘電体102を透してプラズマ処理室101に導入される。このマイクロ波の電界により電子が加速され、プラズマ処理室101内にプラズマが発生し、処理用ガスが励起されて被処理基体112の表面を処理する。

請求項（抜粋）：

マイクロ波が透過可能な誘電体窓で一部を形成されたプラズマ処理室と、前記プラズマ処理室内に設置される被処理基体の支持手段と、前記プラズマ処理室内へ処理用ガスを導入するガス導入手段と、前記プラズマ処理室内を真空排気する排気手段と、複数のマイクロ波導入口と、前記誘電体窓側の面に所定の角度間隔で穿孔されてなる複数のスロットとを有する無終端の環状導波管を備え、前記環状導波管は、前記各マイクロ波導入口から入射したマイクロ波を前記各スロットを介し前記誘電体窓を透して前記プラズマ処理室内へ導入するプラズマ処理装置であって、前記環状導波管の中心軸上にマイクロ波の入口があり、複数のマイクロ波の出口が前記環状導波管の複数の前記マイクロ波導入口と接続されている分岐手段を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/511 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

C23C 16/511 ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 H

Fターム (35件)：

4K030AA06 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA07 ,  4K030DA08 ,  4K030FA01 ,  4K030KA45 ,  4K030LA15 ,  4K030LA24 ,  5F004AA01 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004BB29 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA04 ,  5F004DA05 ,  5F004DA06 ,  5F004DA15 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DA27 ,  5F004DA28 ,  5F004DB03 ,  5F004DB26 ,  5F004DB27

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 環状導波路を有するマイクロ波供給器及びそれを備えたプラズマ処理装置及び処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-135100   出願人：キヤノン株式会社
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-275393   出願人：東京エレクトロン株式会社, 日本高周波株式会社