特許

J-GLOBAL ID：200903040621433595

浸炭雰囲気の制御方法

発明者： 倉橋 和宏 ,  新町 裕幸 ,  三浦 新平 ,  建部 二朗 ,  小林 和彦 ,  前田 章雄 ,  浅野 秀昭 ,  奥宮 正洋
出願人/特許権者： 東邦瓦斯株式会社 ,  東京瓦斯株式会社 ,  大阪瓦斯株式会社
代理人 (1件)： 高橋 祥泰 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-272210
公開番号（公開出願番号）：特開2003-073798
出願日： 2001年09月07日
公開日（公表日）： 2003年03月12日
要約：

【要約】【課題】 エンリッチガスの導入量が不足してしまうことを抑制することができ,浸炭時間を短縮することができる浸炭雰囲気の制御方法を提供すること。【解決手段】 エンリッチガス7の導入量を調節し,カーボンポテンシャルを制御して,浸炭ゾーン12内の被処理材8に浸炭を施す。炉内雰囲気ガス中の酸素濃度をジルコニア式酸素センサ3により測定し,制御部5はカーボンポテンシャルCPを算出する。実際に得ようとするカーボンポテンシャルの目標値をCPrとして,エンリッチガス7の導入開始後の所定期間t1においては,CPがCPr+αの値に近づくように導入弁60の開度を調節し,所定期間t1の後はCPがCPrの値に近づくように導入弁60の開度を調節する。これにより,エンリッチガス7の導入量を調節し,炉内の浸炭雰囲気を制御する。

請求項（抜粋）：

浸炭炉の炉内に被処理材を送入し,次いで,炉内温度を昇温すると共にエンリッチガスを炉内に導入してカーボンポテンシャルを調整しながら上記被処理材を浸炭する際の浸炭雰囲気を制御する方法において,炉内雰囲気ガス中の酸素濃度をジルコニア式酸素センサにより測定し,該酸素濃度を基にして見かけ上のカーボンポテンシャルCPを算出するCP算出手段を用い,上記エンリッチガスの導入を開始した後,該エンリッチガスの導入量を調節するに当たっては,実際に得ようとするカーボンポテンシャルの値をCPrとした場合,上記エンリッチガスの導入開始後所定期間においては,上記CP算出手段により算出されたCPがCPr+αの値に近づくように上記エンリッチガスの導入量を調節し,その後,上記CP算出手段により算出されたCPがCPrの値に近づくように上記エンリッチガスの導入量を調節することを特徴とする浸炭雰囲気の制御方法。

IPC (3件)：

C23C 8/20 ,  C21D 1/76 ,  G01N 27/409

FI (3件)：

C23C 8/20 ,  C21D 1/76 R ,  G01N 27/58 B

Fターム (7件)：

2G004BL14 ,  2G004BL19 ,  2G004BM02 ,  2G004BM05 ,  4K028AA01 ,  4K028AC04 ,  4K028AC07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-195255
  
• ガス浸炭方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-143639   出願人：東邦瓦斯株式会社, 東京瓦斯株式会社, 大阪瓦斯株式会社
• 特開平2-195255
  
• 特開平4-028819
  

引用文献：

審査官引用 (2件)

• 浸炭焼入れの実際, 19990226, 初2版1刷, p.23-25,p.29-35,p.48-52
• 浸炭焼入れの実際, 19990226, 初2版1刷, p.23-25,p.29-35,p.48-52