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特許
J-GLOBAL ID:200903096175718810

ガス浸炭方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高橋 祥泰 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-143639
公開番号(公開出願番号):特開2000-328224
出願日: 1999年05月24日
公開日(公表日): 2000年11月28日
要約:
【要約】【課題】 炉内温度が処理温度よりも低い状態であっても煤を発生させることなく適量のエンリッチガスを導入することができ,効率よく浸炭を行うことができるガス浸炭方法を提供すること。【解決手段】 浸炭炉1には,炉内雰囲気ガスをサンプリングして炉外において炉内雰囲気ガス中のCO2濃度を検出するCO2センサ2と,炉内において炉内雰囲気ガス中の酸素濃度を検出する酸素センサ3とを設けておく。エンリッチガス7の導入は炉内温度Tの昇温中に開始し,CO2濃度を基に算出した見掛け上のカーボンポテンシャルCP1と,酸素濃度を基に算出した見掛け上のカーボンポテンシャルCP2との差(CP2-CP1)を求め,差(CP2-CP1)が所定値に近づくようにエンリッチガス7の流量を調整する。
請求項(抜粋):
浸炭炉の炉内に被処理材を送入し,次いで,炉内温度を浸炭温度まで昇温すると共にエンリッチガスを炉内に導入してカーボンポテンシャルを上昇させて上記被処理材に浸炭を施すガス浸炭方法において,上記浸炭炉には,炉内雰囲気ガスをサンプリングして炉外において該炉内雰囲気ガス中のCO2濃度を検出するCO2センサと,炉内において上記炉内雰囲気ガス中の酸素濃度を検出する酸素センサとを設けておき,上記エンリッチガスの導入は上記炉内温度の昇温中に開始し,かつ,上記エンリッチガスの導入量を制御するに当たっては,上記CO2センサにより測定したCO2濃度を基に算出した見掛け上のカーボンポテンシャルCP1と,上記酸素センサにより測定した酸素濃度を基に算出した見掛け上のカーボンポテンシャルCP2との差(CP2-CP1)を求め,差(CP2-CP1)が所定値に近づくように上記エンリッチガスの流量を調整することを特徴とするガス浸炭方法。
Fターム (3件):
4K028AA01 ,  4K028AC07 ,  4K028AC08
引用特許:
審査官引用 (9件)
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