特許

J-GLOBAL ID：200903040622556020

誘電体磁器及びその製法並びに積層型電子部品

発明者： 神垣 耕世 ,  伊東 裕見子
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-234011
公開番号（公開出願番号）：特開2003-048774
出願日： 2001年08月01日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：

【要約】【課題】比誘電率が大きく、かつ比誘電率の温度特性、DCバイアス特性が良好な誘電体磁器及びその製法を提供し、それにより高電圧が印加されても静電容量の低下率が小さい積層型電子部品を提供する。【解決手段】Aサイトの一部がCaで置換されたペロブスカイト型チタン酸バリウム結晶粒子(BCT型結晶粒子)と、Mg、希土類元素及びZrとを含有する誘電体磁器であって、Mgと希土類元素及びZrの少なくとも一部はそれぞれBCT型結晶粒子中に固溶し、BCT型結晶粒子が、Mg、希土類元素及びZrが粒子中心よりも粒子表面側に偏在したコアシェル型構造を有するとともに、BCT型結晶粒子が0.2〜0.8μmの平均粒径を有している。

請求項（抜粋）：

Aサイトの一部がCaで置換されたペロブスカイト型チタン酸バリウム結晶粒子(BCT型結晶粒子)と、Mg、希土類元素及びZrとを含有する誘電体磁器であって、前記Mgと希土類元素及びZrの少なくとも一部はそれぞれ前記BCT型結晶粒子中に固溶し、前記BCT型結晶粒子が、前記Mg、希土類元素及びZrが粒子中心よりも粒子表面側に偏在したコアシェル型構造を有するとともに、前記BCT型結晶粒子が0.2〜0.8μmの平均粒径を有していることを特徴とする誘電体磁器。

IPC (3件)：

C04B 35/46 ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 358

FI (3件)：

C04B 35/46 D ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 358

Fターム (27件)：

4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA06 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA19 ,  4G031BA09 ,  4G031CA01 ,  4G031CA05 ,  4G031GA04 ,  5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AE00 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5G303AA01 ,  5G303AB06 ,  5G303AB11 ,  5G303AB20 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB06 ,  5G303CB17 ,  5G303CB18 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 積層セラミックコンデンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-227202   出願人：株式会社村田製作所
• 積層セラミックコンデンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-227203   出願人：株式会社村田製作所
• 特開平4-264306