特許
J-GLOBAL ID：200903079190305857
積層セラミックコンデンサ
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-227202
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058377
出願日： 1998年08月11日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】高電界強度下での誘電率の低下が小さく、信頼性に優れ、B特性及びX7R特性を満足する、内部電極にNiを使用した積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】誘電体は、{Ba1-xCaxO}mTiO2+αRe2O3+βMgO+γMnO(但し、Re2O3は、Y2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Yb2O3のうち少なくとも1種)で表される主成分100重量部に対して、Li2O-(Si,Ti)O2-MO(MOはAl2O3、ZrO2のうち少なくとも1種)酸化物、又はSiO2-TiO2-XO(XOはBaO、CaO、SrO、MgO、ZnO、MnOのうち少なくとも1種)酸化物を0.2〜5.0重量部含有した材料からなる。
請求項（抜粋）：
複数の誘電体セラミック層と、該誘電体セラミック層間に形成された内部電極と、該内部電極に電気的に接続された外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサにおいて、前記誘電体セラミック層が、次の組成式、{Ba<SB>1-x</SB>Ca<SB>x</SB>O}<SB>m</SB>TiO<SB>2</SB>+αRe<SB>2</SB>O<SB>3</SB>+βMgO+γMnO(但し、Re<SB>2</SB>O<SB>3</SB>は、Y<SB>2</SB>O<SB>3</SB>、Gd<SB>2</SB>O<SB>3</SB>、Tb<SB>2</SB>O<SB>3</SB>、Dy<SB>2</SB>O<SB>3</SB>、Ho<SB>2</SB>O<SB>3</SB>、Er<SB>2</SB>O<SB>3</SB>及びYb<SB>2</SB>O<SB>3</SB>の中から選ばれる少なくとも1種以上であり、α、β及びγはモル比を表わし0.001≦α≦0.100.001≦β≦0.120.001<γ≦0.121.000<m≦1.0350.005<x≦0.22の範囲内にある)で表わされ、かつ該誘電体セラミック層に用いる{Ba<SB>1-x</SB>Ca<SB>x</SB>O}TiO<SB>2</SB>原料中のアルカリ金属酸化物の含有量が0.02重量%以下である主成分100重量部に対して、第1の副成分をLi<SB>2</SB>O-(Si、Ti)O<SB>2</SB>-MO系(但し、MOはAl<SB>2</SB>O<SB>3</SB>及びZrO<SB>2</SB>の中から選ばれる少なくとも1種である)の酸化物とし、第2の副成分をSiO<SB>2</SB>-TiO<SB>2</SB>-XO系(XOはBaO、CaO、SrO、MgO、ZnO及びMnOの中から選ばれる少なくとも1種である)の酸化物としたときに、該第1又は第2の副成分のどちらか一方を0.2〜5.0重量部含有しており、前記内部電極はニッケル又はニッケル合金からなることを特徴とする、積層セラミックコンデンサ。
IPC (2件)：
H01G 4/30 301
, H01B 3/12 303
H01G 4/30 301 E
, H01B 3/12 303
5E082AB03
, 5E082BC14
, 5E082EE04
, 5E082EE23
, 5E082EE35
, 5E082FG06
, 5E082FG22
, 5E082FG26
, 5E082FG27
, 5E082FG54
, 5E082GG10
, 5E082GG11
, 5E082GG26
, 5E082GG28
, 5E082JJ03
, 5E082JJ05
, 5E082JJ21
, 5E082JJ23
, 5E082MM23
, 5E082MM24
, 5E082PP03
, 5E082PP09
, 5G303AA01
, 5G303AB06
, 5G303AB11
, 5G303BA12
, 5G303CA01
, 5G303CB01
, 5G303CB03
, 5G303CB06
, 5G303CB16
, 5G303CB17
, 5G303CB18
, 5G303CB30
, 5G303CB32
, 5G303CB35
, 5G303CB38
, 5G303CB39
, 5G303CB40
, 5G303CB41
, 5G303CB43
