特許

J-GLOBAL ID：200903040629633232

半導体装置及びその製造方法

発明者： 江川 秀光
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-261639
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102126
出願日： 1991年10月09日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【構成】 半導体基板1上の配線8表面上に撥水性被膜11が形成されている。撥水性被膜11は有機硅素化合物であり、更に、有機硅素化合物は直鎖状ポリオルガノシロキサン、または環状ポリオルガノシロキサンから選ばれた少なくとも1種のポリオルガノシロキサンであっても良い。撥水性被膜11は有機硅素化合物を塗布後、加熱乾燥して形成しても良い。また、エッチング処理溶液または水に有機硅素化合物を浮かせ、有機硅素化合物層に半導体基板1を通すことにより、撥水性被膜11を形成するなどの方法を用いても良い。【効果】 配線8表面上の撥水性被膜11が汚染、水分の吸着を防止し、電極配線材料のコロージョン反応を阻止し、素子の特性劣化を抑え、信頼性、耐久性を向上することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上の金属膜と、前記金属膜表面上に形成された撥水性被膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/31 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (2件)：

H01L 21/95 ,  H01L 23/30 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-168572   出願人：富士通株式会社
• 特開昭50-139900
  
• 特開昭50-139900