特許

J-GLOBAL ID：200903040633199172

ノボラック体、エポキシ樹脂およびそれを用いた半導体封止用エポキシ樹脂組成物ならびに半導体装置

発明者： 中村 吉伸 ,  秋月 伸也 ,  斎藤 潔 ,  越智 光一
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-262359
公開番号（公開出願番号）：特開平6-107758
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1994年04月19日
要約：

【要約】【目的】 TCTテストで評価される各特性の向上および半田溶融液に浸漬時の耐クラック性に優れた半導体装置を得ることのできるノボラック体、エポキシ樹脂およびそれを用いた半導体封止用エポキシ樹脂組成物ならびに半導体装置の提供をする。【構成】 下記の(A),(B)および(C)の少なくとも一つを主成分とするノボラック体であって、上記(A),(B)および(C)が、水酸基当量80〜220の範囲であって、かつ軟化温度70〜200°Cである特性を有するノボラック体を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を樹脂封止する。(A)モノヒドロキシアントラセンのノボラック体。(B)ジヒドロキシアントラセンのノボラック体。(C)トリヒドロキシアントラセンのノボラック体。

請求項（抜粋）：

下記の(A),(B)および(C)の少なくとも一つを主成分とするノボラック体であって、上記(A),(B)および(C)が、水酸基当量が80〜220の範囲であって、かつ軟化温度70〜200°Cである特性を有することを特徴とするノボラック体。(A)モノヒドロキシアントラセンのノボラック体。(B)ジヒドロキシアントラセンのノボラック体。(C)トリヒドロキシアントラセンのノボラック体。

IPC (5件)：

C08G 16/00 NDF ,  C08G 59/08 NHK ,  C08G 59/20 NHQ ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31